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可选光谱范围
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UV-VIS：
200-860nm，配备250nm闪耀光栅，内置二级衍射滤光片
VIS：
380-750nm，配备可见光区域优化的光栅，内置长通滤光片
UV-NIR：
200-1050nm，配备双闪耀波长光栅，内置二级衍射滤光片
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数值孔径
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F/3
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杂散光抑制比
典型（最大）
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UV-VIS型 0.04% (0.08%)
注：在配备510nm宽带滤光片和75μm狭缝时测试
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CCD探测器典型量子效率
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被照射CCD、NIR波段超低etaloning 效应
量子效率：65%（250 nm） - >90%（650 nm）- 70%（850 nm）
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探测器高度和光纤直径
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CCD感光面高300 μm，另有直径300 μm、1.5 m长的光纤可选配
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热电稳定性
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必须扣除暗电流（CCD图样噪声）
使用者需关闭光源或在光路上安装快门
CCD和PDA探测器的量子效率会随着温度变化有微小变化
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光谱分辨率
像素分辨率
狭缝（定制化）
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光谱分辨率：2.6nm，在UV-VIS、75 μm狭缝、1024像素 CCD下测试
像素分辨率：0.65 nm /像素
（测量253nm/365nm/435nm/546nm/696nm/811nm处的分辨率后取平均值）
如需亚纳米级的分辨率，可选择12 μm 和 37 μm 狭缝
对于OEM应用，另有定制化光栅和狭缝
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CCD满阱优化
原始非线性度
校正后非线性度
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168 Ke-（对1024像元CCD线性校正后测试）
原始非线性度：<2.5%
校正后非线性度：<0.6%
非线性度说明：偏离直线最大最小值之差除以65000
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典型读出速度
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4.45 ms（1 MHz模式）225 光谱/s，0曝光时间（多道采集模式）
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最大读出速度
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2.35 ms（超快模式）425光谱/s，0曝光时间（多道采集模式）
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积分时间
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1 μs（包括读出时间）至 5-10s（参考上述读出速度限制）
当曝光时间达数秒，需考虑增加暗噪声平方根（暗电流）
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典型暗电流
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4 count/ms（最高9 counts/ms），在20℃室温，1MHz模式下
典型的偏移: 1000 counts
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典型读出噪声
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1MHz模式下30 e-（最高35 e-）
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A/D 转换速度
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1MHz模式下16 bit
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典型的动态范围
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1MHz模式下5600:1（低速模式下可达到更大动态响应范围）
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典型性噪比
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405:1 （当起伏噪声为限制因素时，取满阱平方根）
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增益
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2.5 e-/count
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标准
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CE 和 RoHS
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尺寸
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长4.9 x 宽3.9 x 高2.9 英寸 (124.5 x 99 x 74 mm)
(对OEM特殊需求，请与我们联系)
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重量
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2磅
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